• <form id="ojxtu"></form>

    <nobr id="ojxtu"><progress id="ojxtu"></progress></nobr>

          <ins id="ojxtu"><mark id="ojxtu"><acronym id="ojxtu"></acronym></mark></ins>

        1. 加入星計劃,您可以享受以下權益:

          • 創作內容快速變現
          • 行業影響力擴散
          • 作品版權保護
          • 300W+ 專業用戶
          • 1.5W+ 優質創作者
          • 5000+ 長期合作伙伴
          立即加入

          英飛凌

          加入交流群
          掃碼加入
          獲取工程師必備禮包
          參與熱點資訊討論

          英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2022財年(截止9月30日),公司的銷售額達142.18億歐元,在全球范圍內擁有約56,200名員工。2020年4月,英飛凌正式完成了對賽普拉斯半導體公司的收購,成功躋身全球十大半導體制造商之一。 英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場 OTCQX International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。 更多信息,請訪問: www.infineon.com

          英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2022財年(截止9月30日),公司的銷售額達142.18億歐元,在全球范圍內擁有約56,200名員工。2020年4月,英飛凌正式完成了對賽普拉斯半導體公司的收購,成功躋身全球十大半導體制造商之一。 英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場 OTCQX International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。 更多信息,請訪問: www.infineon.com收起

          查看更多

          電路方案

          查看更多
          • 英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET, 以更高的功率密度和效率樹立行業新標準
            英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET,  以更高的功率密度和效率樹立行業新標準
            英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產品系列,使電機驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應用提供出色的性能。新 MOSFET產品的導通損耗和開關性能均有所改善,降低了電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益于用于服務器、電信、儲能系統(ESS)、音頻、太陽能等用途的各種開關應用。
          • 英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業解決方案的發展
            英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業解決方案的發展
            英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓撲結構進行了優化。這些MOSFET適用于典型的工
          • 英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V
            英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V
            英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求,也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到200
          • 英飛凌對英諾賽科提出專利侵權訴訟
            英飛凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天通過其子公司英飛凌奧地利科技股份有限公司(Infineon Technologies Austria AG)對英諾賽科(珠海)科技有限公司(Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.)、英諾賽科美國公司(Innoscience America, Inc)及其關聯公司(以下簡稱
          • 英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2, 推動低碳化的高性能系統
            英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2,  推動低碳化的高性能系統
            英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比, 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進一步推動了低碳
          1024在线精品视频